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電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)國家標(biāo)準(zhǔn)
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)國家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
一、gb/t2423有以下51個標(biāo)準(zhǔn)組成：
1. gb/t2423.1-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：環(huán)境試驗(yàn)方法 試驗(yàn)a：低溫
2. gb/t2423.2-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 二部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)b：高溫
3. gb/t2423.3-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程： 試驗(yàn)ca：恒定溫濕度試驗(yàn)方法
4.gb/t2423.4-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)db：交變濕熱試驗(yàn)方法
5.gb/t2423.5-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)ea和導(dǎo)測：沖擊
6.gb/t2423.6-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)eb和導(dǎo)測：碰撞
7.gb/t2423.7-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：試驗(yàn)方法：試驗(yàn)ec和導(dǎo)測：傾跌與翻倒（主要用于設(shè)備型樣品）
8.gb/t2423.8-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)ed：自由跌落
9.gb/t2423.9-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)cb：設(shè)備用恒定濕熱
10.gb/t2423.10-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)fc：和導(dǎo)測振動（正弦）
11.gb/t2423.11-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)fd：寬頻帶隨機(jī)振動一般要求
12.gb/t2423.12-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)fda：寬頻帶隨機(jī)振動-高再現(xiàn)性
13.gb/t2423.13-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)fdb：寬頻帶隨機(jī)振動中再現(xiàn)性
14.gb/t2423.14-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)fdc：寬頻帶隨機(jī)振動低再現(xiàn)性
15.gb/t2423.15-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)ga和導(dǎo)測：穩(wěn)態(tài)加速度
16.gb/t2423.16-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)j和導(dǎo)測：長霉
17.gb/t2423.17-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)ka：鹽霧試驗(yàn)方法
18.gb/t2423.18-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：試驗(yàn)-試驗(yàn)kb：鹽霧，交變（氯化鈉溶液）
19.gb/t2423.19-1981電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)kc：接觸點(diǎn)和鏈接件的二氧化硫試驗(yàn)方法
20.gb/t2423.20-1981電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)kd: 接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法
21.gb/t2423.21-1991電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn) m：低氣壓試驗(yàn)方法
22.gb/t2423.22-2002電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)n：溫度變化
23.gb/t2423.23-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 試驗(yàn)q：密封
24.gb/t24223.24-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)sa：模擬地面上的太陽輻射
25.gb/t2423.25-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)z/am: 低溫 / 低氣壓綜合試驗(yàn)
26.gb/t2423.26-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)z/bm 高溫 /低氣壓綜合試驗(yàn)
27.gb/t2423.27-1981電子電工產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)z/amd:低溫 / 低氣壓/濕熱連接綜合施壓方法
28.gb/t2423.28-1982電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)t 錫焊試驗(yàn)方法
29.gb/t2423.29-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)u:引起端及整體安裝件強(qiáng)度
30.gb/t2423.30-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)xa和導(dǎo)測：在清洗劑中浸漬
31.gb/t2423.31-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 傾斜和搖擺試驗(yàn)方法
32.gb/t2423.32-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法
33.gb/t2423.33-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法
34.gb/t2423.34-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)z/ad:溫度 / 濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法
35.gb/t2423.35-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)z/afc：散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫/振動（正弦）綜合試驗(yàn)方法
36.gb/t2423.36-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境施壓規(guī)程 試驗(yàn)z/bfc:散熱和非散熱樣品的高溫/振動（正弦）綜合試驗(yàn)方法
37.gb/t2423.37-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn) l:沙塵試驗(yàn)方法
38.gb/t2423.38-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn) r：水試驗(yàn)方法
39.gb/t2423.39-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)ee：彈跳試驗(yàn)方法
40.gb/t2423.40-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱
41 gb/t 2423.41-1994電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 風(fēng)壓試驗(yàn)方法
42 gb/t 2423.42-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 低溫/低氣壓/振動(正弦)綜合試驗(yàn)方法
43 gb/t 2423.43-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分: 試驗(yàn)方法 元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊(ea) 、碰撞(eb) 、振動(fc和fb)和穩(wěn)態(tài)加速度(ca)等動力學(xué)試驗(yàn)中的安裝要求和導(dǎo)則
44 gb/t 2423.44-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) **部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)eg: 撞擊 彈簧錘
45 gb/t 2423.45-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)z/abdm：氣候順序
46 gb/t 2423.46-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)ef：撞擊 擺錘
47 gb/t 2423.47-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)fg: 聲振
48 gb/t 2423.48-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)ff: 振動--時間歷程法
49 gb/t 2423.49-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)fe: 振動--正弦拍頻法
50 gb/t 2423.50-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn)
51 gb/t 2423.51-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)ke: 流動混合氣體腐蝕試驗(yàn)
二、gb2421-89 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 總則
三、gb/t2422-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 術(shù)語
四、gb2424 1.gb2424.1-89 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 高溫低溫試驗(yàn)導(dǎo)則
2.gb/t2424.2-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 濕熱試驗(yàn)導(dǎo)則
3.gb/t2424.9-90 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 長霉試驗(yàn)導(dǎo)則
4.gb/t2424.10-93 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 大氣腐蝕加速試驗(yàn)的通用導(dǎo)則
5.gb/t2424.11-82 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 接觸點(diǎn)和鏈接件的二氧化硫試驗(yàn)導(dǎo)則
6.gb/t2424.12-82 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)導(dǎo)則
7.gb/t2424.13-81 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 溫度變化試驗(yàn)導(dǎo)則
8.gb/t2424.14-1995 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 第2部分 ：試驗(yàn)方法 太陽輻射試驗(yàn)導(dǎo)則
9.gb/t2424.15-92 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 溫度/低氣壓綜合試驗(yàn)導(dǎo)則 10.gb/t2424.17-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 錫焊試驗(yàn)導(dǎo)則
11.gb/t2424.18-82 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 在清洗濟(jì)中浸漬試驗(yàn)導(dǎo)則
12.gb/t2424.19-84 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 模擬儲存影響的環(huán)境試驗(yàn)導(dǎo)則
13.gb/t2424.20-85 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 傾斜和搖擺試驗(yàn)導(dǎo)則
14.gb/t2424.21-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)導(dǎo)則
15.gb/t2424.22-86電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 溫度（低溫、高溫）和振動（正 玄）綜合試驗(yàn)導(dǎo)則
16.gb/t2424.23-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 水試驗(yàn)導(dǎo)則
17.gb/t2424.24-1995 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度（低溫、高溫）/低氣壓/振動（正玄）綜合試驗(yàn)導(dǎo)則